| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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MICROCHIPSOP8 |
2200 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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MicrochipSOIC-8 |
300 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
留言
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5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)SOP-8 |
977 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Microchip(微芯)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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MicrochipTechnology8-SOIC |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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MicrochipSOIC |
15000 |
21+ |
只做原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICROCHIPSOP8 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Microchip8SOIC |
10000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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MICROCHIPSOP8 |
12564 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市世华芯科技有限公司1年
留言
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MICROCHIP原厂封装 |
12500 |
2147+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Microchip(微芯)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Microchip(微芯)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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Microchip(微芯)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
留言
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N/A |
67000 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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MICROCHIP原厂封装 |
12500 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Microchip Technology8-SOIC |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市湘达电子科技有限公司3年
留言
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MICROCHIP/微芯 |
5000 |
2022+ |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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2000 |
24+ |
优势货源原装正品 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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MICROCHIP/微芯SOIC |
26812 |
2021+ |
全新原装现货 |
MCP14E6-E/SN采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MCP14E6-E/SN图片
MCP14E6-E/SN价格
MCP14E6-E/SN价格：￥8.3457品牌：MICROCHIP
生产厂家品牌为MICROCHIP的MCP14E6-E/SN多少钱，想知道MCP14E6-E/SN价格是多少？参考价：￥8.3457。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MCP14E6-E/SN批发价格及采购报价，MCP14E6-E/SN销售排行榜及行情走势，MCP14E6-E/SN报价。
MCP14E6-E/SN中文资料Alldatasheet PDF
更多MCP14E6-E/SN功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
MCP14E6-E/SN
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
12ns，15ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
