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MC1413BDR2G中文资料PDF规格书

MC1413BDR2G
厂商型号

MC1413BDR2G

功能描述

High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

文件大小

76.22 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 22:50:00

产品属性

  • 型号:

    MC1413BDR2G

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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