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MBT3946DW1T1G	文件：246.96 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistor TheMBT3946DW1T1Gdeviceisaspin-offofourpopularSOT−23/SOT−323three-leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT−363−6surfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdeviceisidealforlow-powersurfacemount	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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FFB3946DW1T1G	文件：234.81 Kbytes Page：12 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd
LMBT3946DW1T1	文件：220 Kbytes Page：11 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT3946DW1T1G	文件：190.59 Kbytes Page：11 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3946DW1T1	文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	ETL E-Tech Electronics LTD
MBT3946DW1T1	文件：422.11 Kbytes Page：10 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1,MBT3906DW1T1,andMBT3946DW1T1devicesarespin–offsofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevices.TheyaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandarehousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwod	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MBT3946DW1T1	文件：168.56 Kbytes Page：12 Pages	DualGeneralPurposeTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT3946DW1T1	文件：402.9 Kbytes Page：11 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司
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详细参数

型号：
MBT3946DW1T1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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