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MBT3906DW1	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT3906DW1T1	文件：422.11 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors TheMBT3904DW1T1,MBT3906DW1T1,andMBT3946DW1T1devicesarespin–offsofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevices.TheyaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandarehousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwod	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MBT3906DW1_13	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT3906DW1T1	文件：111.24 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT3906DW1T1	文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors	ETL E-Tech Electronics LTD	ETL
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MBT3906DW1T1G	文件：184.75 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBT3906DW1T1G_09	文件：184.75 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT3906DW1T2G	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT3906DW1T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMBT3906DW1	文件：141.33 Kbytes Page：10 Pages	DualPNPEpitaxialPlanarTransistor 200mASiliconPNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=-40V@IC=-1.0mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Offe	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
SMBT3906DW1	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MBT3906DW1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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