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MBR8100L	文件：63.93 Kbytes Page：2 Pages	8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MBR8100L	文件：81.89 Kbytes Page：2 Pages	Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR8100L	文件：439.75 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Chip Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR8100L	文件：89.85 Kbytes Page：2 Pages	High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
8100	文件：84.67 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPTISDNPRITransformers	FILTRAN FILTRAN Group	FILTRAN
ADL8100	文件：1.94129 Mbytes Page：27 Pages	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8100ACPZN	文件：1.94129 Mbytes Page：27 Pages	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADL8100-EVALZ	文件：1.94129 Mbytes Page：27 Pages	GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,0.01GHzto20GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8100isagalliumarsenide(GaAs),monolithicmicrowave integratedcircuit(MMIC),pseudomorphichighelectronmobility transistor(pHEMT),widebandlownoiseamplifier(LNA)thatoperates from0.01GHzto20GHz.TheADL8100providesatypical gainof20dBat0.01	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AEDR-8100	文件：138.89 Kbytes Page：10 Pages	ReflectiveSurfaceMountOpticalEncoder	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AG8100	文件：364.22 Kbytes Page：16 Pages	Power-Over-EthernetModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AJ8100HF	文件：451.78 Kbytes Page：10 Pages	16ATypePowerRockerSwitcheswitha3mmContactgapSecured	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AJ8100WF	文件：451.78 Kbytes Page：10 Pages	16ATypePowerRockerSwitcheswitha3mmContactgapSecured	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ALD8100XX	文件：550.31 Kbytes Page：17 Pages	SUPERCAPACITORAUTOBALANCING(SAB)MOSFETARRAYS	ALDAdvanced Linear Devices, Inc. 先进线性先进线性设备有限公司	ALD
AMC-8100	文件：304.86 Kbytes Page：2 Pages	AMC.0Single-width,Mid-size	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AMT8100	文件：457.6 Kbytes Page：8 Pages	1.25Gb/sIntegrated850nmMSM-TIA 1.25Gb/sIntegrated850nmMSM-TIA	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
B8100	文件：243.56 Kbytes Page：8 Pages	SAWComponentsBandpassFilter110,59MHz Features ■IFfilterforcordlessapplication ■ChannelselectioninDECTsystem ■Lowgroupdelayripple ■SurfaceMountedTechnology(SMT) ■StandardICsmalloutline(SO)package ■Balancedandunbalancedoperationpossible	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
BD8100CS	文件：122.95 Kbytes Page：3 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD8100CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD8100CT	文件：147.01 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD8100CT	文件：46.98 Kbytes Page：2 Pages	THROUGHHOLEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
MBR8100L
制造商：
SIRECTIFIER
制造商全称：
Sirectifier Semiconductors
功能描述：
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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