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MBR30H90PT	文件：65.25 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage Dual Schottky Rectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecenter-tap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop •Highsurg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90PT	文件：324.64 Kbytes Page：4 Pages	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Hig	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90PT	文件：84.31 Kbytes Page：4 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.,10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90PT	文件：86.14 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90PT_V01	文件：84.31 Kbytes Page：4 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.,10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90PT_15	文件：86.14 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90PT-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO3P	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
B30H90G	文件：385.31 Kbytes Page：2 Pages	30AmpereInsulatedDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBR30H90	文件：65.25 Kbytes Page：2 Pages	High-VoltageDualSchottkyRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecenter-tap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop •Highsurg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90CT	文件：169.25 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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MBR30H90CT	文件：81.65 Kbytes Page：3 Pages	High-VoltageDualSchottkyRectifiers DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapabil	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H90CT	文件：1.25895 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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详细参数

型号：
MBR30H90PT
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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