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MAX9952DCCB-D	文件：304.76 Kbytes Page：24 Pages	Dual Per-Pin Parametric Measurement Units	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX9952DCCB-D	文件：399.38 Kbytes Page：24 Pages	Dual Per-Pin Parametric Measurement Units	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
9952	文件：48.26 Kbytes Page：2 Pages	3MTMSingleCoatedMedicalPlasticTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
9952	文件：146.68 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,2C#16StrTC,PVC-NYLIns,OATCBrd,PVCJkt ProductDescription Electronic,2Conductor16AWG(19x29)TinnedCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(90)Shield,PVCOuterJacket	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
AD9952	文件：731.64 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9952isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9952usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9952YSV	文件：731.64 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9952isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9952usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9952YSV	文件：569.1 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9952YSVZ	文件：569.1 Kbytes Page：28 Pages	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AE9952	文件：45.66 Kbytes Page：1 Pages	Cat5eUTPPatchCable	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
AP9952GP-HF	文件：101.08 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AUIRF9952Q	文件：264.53 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF9952Q	文件：329.92 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF9952QTR	文件：329.92 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF9952QTR	文件：264.53 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CEM9952A	文件：1.64528 Mbytes Page：10 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■30V,3.7A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■-30V,-2.9A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapab	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM9952AJPT	文件：321.79 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT3.7Ampere P-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT2.9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
IRF9952	文件：134.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9952PBF	文件：224.24 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9952PBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9952QPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
MAX9952DCCB-D
功能描述：
接口 - 专用
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品类型：
1080p60 Image Sensor Receiver
工作电源电压：
1.8 V
电源电流：
89 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
BGA-59

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