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OPB818	文件：174.01 Kbytes Page：3 Pages	SLOTTEDOPTICALSWITCH	Optek TT Electronics/Optek Technology	Optek
PC818	文件：66.42 Kbytes Page：4 Pages	HighDensityMountingTypePhotocoupler PC817XSeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor.(PC817A,PC817B,PC817C,PC817D)Itispackagedina4pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption.Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV.Collector-emittervoltageis80V(*)andCTRi	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PCL-818HD	文件：589.25 Kbytes Page：2 Pages	100kS/s,12-bit,16-chISAMultifunctionCard	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
PCL-818HG	文件：589.25 Kbytes Page：2 Pages	100kS/s,12-bit,16-chISAMultifunctionCard	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
PCL-818L	文件：589.25 Kbytes Page：2 Pages	100kS/s,12-bit,16-chISAMultifunctionCard	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
PCL-818L	文件：546.42 Kbytes Page：74 Pages	High-performanceDAScardwithprogrammablegain	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PCL-818LS	文件：589.25 Kbytes Page：2 Pages	100kS/s,12-bit,16-chISAMultifunctionCard	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
PT818	文件：462.48 Kbytes Page：5 Pages	CATVAmplifier	SJMPreval 普利微尔	SJM
R818	文件：129.33 Kbytes Page：3 Pages	TheHighlycompetitivespeakerwithscreen Features CPU Quad-coreARMCortexTM-A53@1.5GHz 32KBL1I-cache+32KBL1D-cachepercore,512KBL2cache Low-powerCoolFlex™powermanagementarchitecture GPU IMGPowerVRGE8300 SupportOpenGLES3.2，Vulkan1.1，OpenCL1.2 Memory DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3/LPDDR4,32-bitwidth,support4	AllwinnerAllwinner Technology 全志科技珠海全志科技股份有限公司	Allwinner
RK818	文件：3.56878 Mbytes Page：93 Pages	Inputrange:3.8V-6VforUSBinput2.7V-4.5VforBATinput Feature Inputrange:3.8V-6VforUSBinput2.7V-4.5VforBATinput SwitchmodeLi-ionbatterychargerprovidingchargingcurrentupto3A. Powerpathcontrollerwith5Acurrentpath. Accuratebatteryfuelgauge. RealtimeclockRTC Lowstandbycurrentoflessthan40uA(at32	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微电子瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
S818	文件：366.6 Kbytes Page：23 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR TheS-818SeriesisapositivevoltageregulatordevelopedbyCMOStechnologyandfeaturedbylowdropoutvoltage,highoutputvoltageaccuracyandlowcurrentconsumption. Built-inlowon-resistancetransistorprovideslowdropoutvoltageandlargeoutputcurr	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：366.6 Kbytes Page：23 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR TheS-818SeriesisapositivevoltageregulatordevelopedbyCMOStechnologyandfeaturedbylowdropoutvoltage,highoutputvoltageaccuracyandlowcurrentconsumption. Built-inlowon-resistancetransistorprovideslowdropoutvoltageandlargeoutputcurr	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：525.84 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：487.7 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SA818	文件：122.46 Kbytes Page：2 Pages	SAB5.0THRUSAB28SERIES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SBE818	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE818	文件：261.959 Kbytes Page：4 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818-TL-E	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE818-TL-E	文件：489.74 Kbytes Page：6 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBS818	文件：485.03 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode30V,2A,LowVF,Non-MonolithicDualEMH8CommonCathode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX818MEPA
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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