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BD791	文件：188.85 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min) •HighDCCurrentGain@IC=200mAdchFE=40–250 •LowCollector–EmitterSaturationVoltage—VCE(sat)=0.5Vdc(Max)@IC=500mAdc APPLICATIONS •Designedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多MAX791CPE其他被动元件供应商更新时间2024-5-4 15:20:00

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