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DTD713Z	文件：353.9 Kbytes Page：7 Pages	NPN200mA30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTD713ZE	文件：353.9 Kbytes Page：7 Pages	NPN200mA30VDigitalTransistors(BiasResistorBuilt-inTransistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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DTD713ZE	文件：63.62 Kbytes Page：2 Pages	200mA/30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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DTD713ZM	文件：184.67 Kbytes Page：3 Pages	200mA/30VLowVCE(sat)Digitaltransistors(withbuilt-inresistors)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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HDSP-713A	文件：166.26 Kbytes Page：6 Pages	17.3mm(0.68inch)GeneralPurpose5x7DotMatrixAlphanumericDisplays	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HDSP-713E	文件：166.26 Kbytes Page：6 Pages	17.3mm(0.68inch)GeneralPurpose5x7DotMatrixAlphanumericDisplays	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HDSP-713G	文件：166.26 Kbytes Page：6 Pages	17.3mm(0.68inch)GeneralPurpose5x7DotMatrixAlphanumericDisplays	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HE713	文件：77.34 Kbytes Page：1 Pages	VCOwithbuilt-inbufferamplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEM713	文件：77.34 Kbytes Page：1 Pages	VCOwithbuilt-inbufferamplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HM713	文件：640.91 Kbytes Page：7 Pages	SinglechipHalleffectcurrentsensor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IPM-C713	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
IPM-L713	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
IRF713	文件：147.35 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,2.25A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF713	文件：360.17 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF713	文件：791.66 Kbytes Page：3 Pages	IRF710-713MTP2N35/2N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriverandhighenergypulsecircuits. •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX713ESE+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 电池充电器
包装：
卷带（TR）
电池化学成份：
多化学
电池数：
1 ~ 16
电流 - 充电：
恒流
电压 - 供电（最高）：
5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC BAT CHG MULTCHEM 1-16C 16SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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