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MAX660M	文件：259.44 Kbytes Page：11 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MAX660M/NOPB	文件：271.08 Kbytes Page：13 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
MAX660MJA	文件：108.35 Kbytes Page：12 Pages	CMOSMonolithicVoltageConverter	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX660MX	文件：259.44 Kbytes Page：11 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MAX660MX/NOPB	文件：271.08 Kbytes Page：13 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
MB660XXX	文件：904.22 Kbytes Page：18 Pages	AVCMOSSEREISGATEARRAYS	FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MB660XXX	文件：1.52954 Mbytes Page：22 Pages	CMOSGateArray	FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha 富士通富士通株式会社	Fujitsu
MBR660	文件：85.79 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660	文件：1.4235 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.	SAMYANG
MBR660	文件：1.45043 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.	SAMYANG
MBR660	文件：1.40764 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.	SAMYANG
MBR660	文件：176.16 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR660CS	文件：915.84 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency. ●Lowforwrdvoltage,highcurrentcapability ●Highsurgecapacity. ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBR660CT	文件：800.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvoltge,highcurrentcapability •Highsurg	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR660CT	文件：87.84 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequen	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660F	文件：96.39 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequency	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660FCT	文件：94.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltge,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequency	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR660G	文件：143.51 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBRD660	文件：137.4 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
MBRD660	文件：864.91 Kbytes Page：4 Pages	MBRD660SCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

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