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MAX5522EUA+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）类别：集成电路（IC）数模转换器（DAC）描述：IC DAC 10BIT V-OUT 8UMAX	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX5522EUA+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）类别：集成电路（IC）数模转换器（DAC）描述：IC DAC 10BIT V-OUT 8UMAX	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MLL5522B	文件：333.31 Kbytes Page：3 Pages	LowVoltageSurfaceMount500mWAvalancheDiodes •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTL5522	文件：440.88 Kbytes Page：29 Pages	CompactmodulardesignwithDINrailmounting	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
NDL5522P	文件：62.56 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5522P	文件：75.42 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS30mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE DESCRIPTION NDL5531PSeriesisanInGaAsavalanchephotodiodemodulewithsinglemodefiber.Itisdesignedfordetectorsoflongwavelengthtransmissionsystems.Theseriescoversthewavelengthrangebetween1000and1600nm. FEATURES •SmalldarkcurrentID=5nA •Smallterminalcapaci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5522P	文件：66.75 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5522P	文件：76.18 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5522P	文件：68.5 Kbytes Page：8 Pages	1300nmOPTICALANALOGCATVSYSTEM80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULEWITHSMF SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5522P	文件：204.35 Kbytes Page：10 Pages	RECEIVER 50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEFOR2.5Gb/s BUTTERFLYMODULEWITHINTERNALPRE-AMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NDL5522PC	文件：204.35 Kbytes Page：10 Pages	RECEIVER 50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEFOR2.5Gb/s BUTTERFLYMODULEWITHINTERNALPRE-AMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NSL5522	文件：77.23 Kbytes Page：2 Pages	CeramicPackagePhotocell	LUNALuna Innovations Incorporated 露娜	LUNA
NSL-5522	文件：19.52 Kbytes Page：1 Pages	TO-5PhotocellsPlasticEncapsulated	SILONEX Luna Innovations Incorporated	SILONEX
NSL-5522	文件：330.79 Kbytes Page：1 Pages	TO-5CeramicPhotocell	ADVANCEDPHOTONIXAdvanced Photonix, Inc. advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
NX5522	文件：185.5 Kbytes Page：7 Pages	1550nmFORFTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX5522	文件：201.62 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1550nmFORFTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5522Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.ThesedevicesaredesignedandidealforFiberToTheHome(FTTH). FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=8mA •Diffe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5522EH	文件：201.62 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1550nmFORFTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5522Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.ThesedevicesaredesignedandidealforFiberToTheHome(FTTH). FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=8mA •Diffe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NX5522EK	文件：185.5 Kbytes Page：7 Pages	1550nmFORFTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX5522EK	文件：201.62 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1550nmFORFTTHInGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5522Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.ThesedevicesaredesignedandidealforFiberToTheHome(FTTH). FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=8mA •Diffe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
MAX5522EUA+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
管件
位数：
10
数模转换器数：
2
建立时间：
660µs（标准）
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
SPI
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
1.8V ~ 5.5V
电压 - 供电，数字：
1.8V ~ 5.5V
INL/DNL (LSB)：
±1，±0.2
架构：
电流源
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-uMAX/uSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC DAC 10BIT V-OUT 8UMAX

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MAX5522EUA+	Analog Devices Inc./Maxim Inte	24+	8-uMAX-EP\|8-uSOP-EP	25000	ADC/DAC转换主营芯片-原装正品	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	MAX5522EUA+	Analog Devices Inc./Maxim Inte	22+	8-uMAX/uSOP	12000	ADI\MAXIM现货分销,只做原装,多种品牌有售。QQ询价	询价
深圳市一线半导体有限公司	MAX5522EUA+	Maxim	07+/08+	8-MSOP	50		询价
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