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MBR5060WT	文件：755.19 Kbytes Page：2 Pages	50AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features ●HighSurgeCapacity ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighCurrentCapability,LowVF ●MetalofsiliconRectifier,majorityCarrierConduction ●GuardRingForTransientProtection ●PlasticPackageHasULFlammabilityClassification94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MDR-5060	文件：352.87 Kbytes Page：2 Pages	ACandDCcoils,latchingandnon-latching	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
MIC5060	文件：512.039 Kbytes Page：12 Pages	UltraSmallHigh-SideMOSFETDriver	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体麦克雷尔\|麦瑞半导体	Micrel
MIC5060	文件：1.74947 Mbytes Page：24 Pages	Ultra-SmallHigh-SideMOSFETDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MIC5060YML	文件：512.039 Kbytes Page：12 Pages	UltraSmallHigh-SideMOSFETDriver	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体麦克雷尔\|麦瑞半导体	Micrel
MIC5060YML-TR	文件：1.74947 Mbytes Page：24 Pages	Ultra-SmallHigh-SideMOSFETDriver	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MMBS5060	文件：40.68 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIERS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MPI5060	文件：68.83 Kbytes Page：2 Pages	MINIBRIDGE25,40,50and60AMPEREBRIDGERECTIFIERS MINIBRIDGE25,40,50and60AMPEREBRIDGERECTIFIERS INTEGRALLYMOLDED HEATSINKS PROVIDEVERYLOW THERMALRESISTANCE	edi edi	edi
MPI5060W	文件：66.3 Kbytes Page：2 Pages	40/50AMPERESBRIDGERECTIFIERSWIRELEADSFORPCBOARDS	edi edi	edi
MR5060	文件：261.64 Kbytes Page：3 Pages	INTEGRATEDT-1RESISTORLAMPS5VOLTAND12VOLTSERIES	QT QT Brightek (QTB)	QT
MUR5060	文件：420.96 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR5060	文件：156.15 Kbytes Page：3 Pages	50ASCHOTTKYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MUR5060	文件：787.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR5060PT	文件：268.08 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MUR5060R	文件：420.96 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR5060R	文件：787.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
NDB5060	文件：306.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB5060	文件：356.82 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB5060L	文件：358.95 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB5060L	文件：305.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
MAX5060ETI-T
功能描述：
DC/DC 开关控制器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入电压：
6 V to 100 V
输出电压：
1.215 V to 80 V
输出电流：
3.5 A
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
CPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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