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BFR505	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR505T	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR505T	文件：103.54 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC-75)package. FEATURES •Lowcurrentconsumption •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •SOT416(SC-75)package. APPLICATIONS Lowpoweramplifiers,oscillat	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFS505	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFS505	文件：95.24 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
BFS505	文件：113.88 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. Itisintendedforlowpoweramplifiers,oscillatorsandmixersparticularlyinRFportablecommunicationequipment(cellularphones,cordlessphones,pagers)upto2GHz. FEATURES •Lowcurrentconsumption •Highpowergain •Lownois	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BL505N	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BL505P	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BL505P	文件：1.28801 Mbytes Page：3 Pages	50AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
BMXFTW505	文件：113.83 Kbytes Page：2 Pages	cordset-40-wayterminal-oneendflyingleads-forX80I/O-5m	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
BP505	文件：247 Kbytes Page：2 Pages	PRESS-FITBOSCHDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BRD505	文件：44.15 Kbytes Page：2 Pages	DUALOUTPUT,2WATT DESCRIPTION BRDdualoutputDC/DCconvertersofferexcellent regulationandisolationinanindustrystandardDIPpackage.The5VoltinputBRDisidealforindustrialandEDPapplications.TheBRDfeaturesshortcircuitprotectionand500VDCisolation.PleaseseetheBRSseriesforsingleoutp	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
BRS505	文件：118.76 Kbytes Page：2 Pages	BRSDC/DCconverters(1.5WATT) DESCRIPTION BRSDC/DCconvertersofferexcellentregulationandisolationinanindustrystandardDIPpackage.The5VoltinputBRSisidealforindustrialandEDPapplications.TheBRSfeaturesshortcircuitprotectionand500VDCisolation.PleaseseetheBRDseriesfordualoutputapplications	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
BRUS505	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi edi	edi
BS-A505RD	文件：162.59 Kbytes Page：3 Pages	12.70mm(0.50)highsingledigitsevensegmentsdisplay.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BS-A505RE	文件：150.01 Kbytes Page：3 Pages	12.70(0.50)highsingledigitsevensegmentsdisplay	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BU505	文件：90.15 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •Highvoltage,highspeed-switching APPLICATIONS •Forhorizontaldeflectioncircuits ofcolorTVreceivers	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU505	文件：61.71 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGENPNMULTIEPITAXIALFAST-SWITCHINGTRANSISTOR Description TheBU505isaHighVoltageNPNfastswitchingtransistordesignedtobeusedinlightingapplication,likeelectronicballastforfluorescentlamps. It’scharacteristicsmakealsoidealforpowersupplies. Features ■HIGHVOLTAGECAPABILITY ■VERYHIGHSWITCHINGSPEED ■HIGHRUGG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BU505	文件：74.6 Kbytes Page：12 Pages	Silicondiffusedpowertransistors DESCRIPTION High-voltage,high-speedswitchingNPNpowertransistorinaTO-220ABpackage.TheBU505Dhasanintegratedefficiencydiode. APPLICATIONS •Horizontaldeflectioncircuitsof colourtelevisionreceivers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BU505	文件：143.7 Kbytes Page：10 Pages	HighVoltageNPNMultiepitaxialFast-SwitchingTransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
MAX505AEAG+T
功能描述：
数模转换器- DAC 8-Bit 4Ch Precision DAC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换器数量：
1 DAC
输出端数量：
1
转换速率：
2 MSPs
分辨率：
16 bit
接口类型：
QSPI, SPI, Serial(3-Wire, Microwire)
稳定时间：
1 us
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-14
封装：
Tube

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