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MAX4905EBL-T	文件：346.6 Kbytes Page：13 Pages	Low-RON, Dual-SPST/Single-SPDT Clickless Switches with Negative Rail Capability	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
4905	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4905	文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages	VHBTape-SpecialtyTapes	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
4905-S	文件：29.55 Kbytes Page：1 Pages	AdjustableRFInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AUIRF4905	文件：277.63 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF4905	文件：352.97 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPlanarTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF4905L	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	AdvancedPlanarTechnologyP-ChannelMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF4905L	文件：621.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF4905S	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	AdvancedPlanarTechnologyP-ChannelMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF4905S	文件：621.06 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRF4905STRL	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	AdvancedPlanarTechnologyP-ChannelMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRF4905STRR	文件：267.36 Kbytes Page：14 Pages	AdvancedPlanarTechnologyP-ChannelMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFI4905	文件：304.21 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPlanarTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CDLL4905	文件：68.36 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •12.8VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWNOISE •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4905A	文件：68.36 Kbytes Page：2 Pages	TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •12.8VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWNOISE •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CO4905	文件：161.86 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCLOCKOSCILLATORS	RALTRONRaltron Electronics Corporation 拉隆	RALTRON
EF4905NMO	文件：503.92 Kbytes Page：3 Pages	AllNMOmountantennaslistedinthiscatalogsectionrequiretheNMOHF-style	pulse Pulse Electronics	pulse
F4905S	文件：174.08 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
FKD4905	文件：481.42 Kbytes Page：7 Pages	N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETs Features ⚫AdvancedTrenchMOSTechnology ⚫SuperLowGateCharge ⚫100EASGuaranteed ⚫GreenDeviceAvailable Applications ⚫MobileEquipment ⚫DCMotorControl.	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司	FETEK
FKS4905	文件：647.59 Kbytes Page：7 Pages	N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETs Description TheFKS4905isthehighperformance complementaryN-chandP-chMOSFETswith highcelldensity,whichprovideexcellent RDSONandgatechargeformostofthe synchronousbuckconverterapplications. TheFKS4905meettheRoHSandGreen Productrequirement100EASguaranteed with	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司	FETEK

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详细参数

型号：
MAX4905EBL
功能描述：
模拟开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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