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MMBT4126	文件：43.77 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT4124) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes2and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT4126	文件：167.11 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT4124) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT4126	文件：33.38 Kbytes Page：1 Pages	PNP(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
MMBT4126	文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT4126	文件：160.58 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT4126	文件：83.08 Kbytes Page：6 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4126	文件：345.34 Kbytes Page：6 Pages	25VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT4124 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT4126	文件：94.23 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsto10µAasaswitchandto100mAasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4126	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMDT4126	文件：170.93 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT4124) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMDT4126	文件：231.42 Kbytes Page：6 Pages	25VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMDT4126	文件：77.88 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMDT4126	文件：41.15 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMST4126	文件：41.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-25V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST4124 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
MAX4126ESA-T
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Wide-Bandwdth Single-Supply R-R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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