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MMAJ-20020LA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-20020LY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-20020MA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-20020MY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MUR20020CT	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20020CT	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20020CT	文件：135.46 Kbytes Page：3 Pages	200AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MUR20020CT	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20020CT	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20020CTR	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20020CTR	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20020CTR	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20020CTR	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURF20020	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF20020R	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURP20020CT	文件：89.51 Kbytes Page：2 Pages	POWERTAP??IIUltrafastSWITCHMODE??PowerRectifiers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MURP20020CT	文件：115.67 Kbytes Page：3 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS200AMPERES,200??00VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MURP20020CT	文件：58.38 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS200AMPERES200.400VOLTS POWERTAPIIUltrafastSWITCHMODE™PowerRectifiers ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •LowForwardVoltage •175°COperatingJu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MURT20020	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20020	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI

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产品属性

产品编号：
MAX20020ATBA/V+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
固定
输出数：
2
电压 - 输入（最小值）：
3.5V
电压 - 输入（最大值）：
17V
电压 - 输出（最小值/固定）：
3.3V，1.8V
电流 - 输出：
500mA，500mA
频率 - 开关：
3.2MHz
同步整流器：
无
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-TDFN-EP（2x3）
描述：
IC REG BUCK DUAL 10TDFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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