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BAV199DW	文件：159.97 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV199DW	文件：154.8 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV199DW	文件：74.08 Kbytes Page：3 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DW	文件：63.6 Kbytes Page：2 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion ●VeryLowLeakageCurrent ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DW	文件：43.75 Kbytes Page：1 Pages	QuadSurfaceMountLowLeakageDiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAV199DW	文件：557.27 Kbytes Page：3 Pages	200mW85VoltPlastic-EncapsulateDiode	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAV199DW	文件：93.28 Kbytes Page：4 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DW	文件：88.37 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipDIODES Multi-ChipDIODES FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:200mA Collector-basevoltage VR:85V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAV199DWQ	文件：436.64 Kbytes Page：4 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199F	文件：446.1 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiode SiliconLowLeakageDiode •Low-leakageapplications •Mediumspeedswitchingtimes •Seriespairconfiguration •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAV199FM	文件：1.4717 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199FMFH	文件：1.47112 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HM	文件：1.49454 Mbytes Page：9 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HMFH	文件：1.4943 Mbytes Page：9 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HY	文件：1.48872 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HYFH	文件：1.48888 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199L	文件：85.23 Kbytes Page：4 Pages	DualSeriesSwitchingDiode DualSeriesSwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV199Q	文件：240.11 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BAV199-Q	文件：210.77 Kbytes Page：11 Pages	Low-leakagedoublediode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.Thediodesareconnectedinseries. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV199S	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
MAX199BCWI-T
功能描述：
模数转换器 - ADC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
结构：
Sigma-Delta
转换速率：
125 SPs to 8 KSPs
分辨率：
24 bit
输入类型：
Differential
信噪比：
107 dB
接口类型：
SPI
工作电源电压：
1.7 V to 3.6 V, 2.7 V to 5.25 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-32

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