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BAV199DW	文件：159.97 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV199DW	文件：154.8 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV199DW	文件：329.85 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAV199DW	文件：63.6 Kbytes Page：2 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion ●VeryLowLeakageCurrent ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DW	文件：88.37 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipDIODES Multi-ChipDIODES FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:200mA Collector-basevoltage VR:85V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAV199DW	文件：557.27 Kbytes Page：3 Pages	200mW85VoltPlastic-EncapsulateDiode	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAV199DW	文件：93.28 Kbytes Page：4 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DW	文件：74.08 Kbytes Page：3 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DW	文件：43.75 Kbytes Page：1 Pages	QuadSurfaceMountLowLeakageDiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAV199DW	文件：347.44 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiodes	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAV199DW	文件：383.08 Kbytes Page：4 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199DWQ	文件：436.64 Kbytes Page：4 Pages	QUADSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV199F	文件：446.1 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiode SiliconLowLeakageDiode •Low-leakageapplications •Mediumspeedswitchingtimes •Seriespairconfiguration •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAV199FM	文件：1.4717 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199FMFH	文件：1.47112 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HM	文件：1.49454 Mbytes Page：9 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HMFH	文件：1.4943 Mbytes Page：9 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HY	文件：1.48872 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199HYFH	文件：1.48888 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV199L	文件：85.23 Kbytes Page：4 Pages	DualSeriesSwitchingDiode DualSeriesSwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX199ACWI
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
12
采样率（每秒）：
100k
输入数：
8
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
MUX-S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
SAR
参考类型：
外部，内部
电压 - 供电，模拟：
5V
电压 - 供电，数字：
5V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 12BIT SAR 28SOIC

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