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M93C46-WMN6TP集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

M93C46-WMN6TP
厂商型号

M93C46-WMN6TP

参数属性

M93C46-WMN6TP 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SO

功能描述

16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit, 1Kbit and 256bit 8-bit or 16-bit wide
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SO

文件大小

436.54 Kbytes

页面数量

27

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-3 23:00:00

M93C46-WMN6TP规格书详情

Description

The M93C86, M93C76, M93C66, M93C56 and M93C46 are electrically erasable programmable memory (EEPROM) devices. They are accessed through a Serial Data input (D) and Serial Data output (Q) using the MICROWIRE bus protocol.

Features

● Industry standard MICROWIRE bus

● Single supply voltage:

– 4.5 V to 5.5 V for M93Cx6

– 2.5 V to 5.5 V for M93Cx6-W

– 1.8 V to 5.5 V for M93Cx6-R

● Dual organization: by word (x16) or byte (x8)

● Programming instructions that work on: byte, word or entire memory

● Self-timed programming cycle with auto erase: 5 ms

● READY/BUSY signal during programming

● 2 MHz clock rate

● Sequential read operation

● Enhanced ESD/latch-up behavior

● More than 1 million write cycles

● More than 40 year data retention

● Packages

– ECOPACK® (RoHS compliant)

M93C46-WMN6TP属于集成电路(IC) > 存储器。意法半导体(ST)集团制造生产的M93C46-WMN6TP存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    M93C46-WMN6TP

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    1Kb(128 x 8,64 x 16)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST意法
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3800
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