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M68AW512ML70ND6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M68AW512ML70ND6T	文件：296.74 Kbytes Page：19 Pages	8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM SUMMARYDESCRIPTION TheM68AW512Misa8Mbit(8,388,608bit)CMOSSRAM,organizedas524,288wordsby16bits.Thedevicefeaturesfullystaticoperationrequiringnoexternalclocksortimingstrobes,withequaladdressaccessandcycletimes.Itrequiresasingle2.7to3.6Vsupply.Thisdev	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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M68AW512ML70ND6

文件：100 bytes

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包装：管件封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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M68AW512ML70ND6T

文件：296.74 Kbytes

Page：19 Pages

8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

SUMMARYDESCRIPTION TheM68AW512Misa8Mbit(8,388,608bit)CMOSSRAM,organizedas524,288wordsby16bits.Thedevicefeaturesfullystaticoperationrequiringnoexternalclocksortimingstrobes,withequaladdressaccessandcycletimes.Itrequiresasingle2.7to3.6Vsupply.Thisdev

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产品属性

产品编号：
M68AW512ML70ND6
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

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