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M29W400DB55ZE6F

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6F

4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6F

4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

M29W400DB55ZE6F TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:48-TFBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

M29W400DB55ZE6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

M29W400DB55ZE6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6E

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

M29W400DB55ZE6T

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

NUMONYXNUMONYX

恒忆

M29W400DB55ZE6T

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,BootBlock)3VSupplyFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

M29W400DB55ZE6T

4Mbit(512Kbx8or256Kbx16,bootblock)3VsupplyFlashmemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

详细参数

  • 型号:

    M29W400DB55ZE6F

  • 功能描述:

    闪存 4 Mbit(512 ) 3 V

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICRON
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MICRON专营原装进口现货
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更多M29W400DB55ZE6F供应商 更新时间2024-6-10 14:26:00