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M2045S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC TYPICALA

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

M2045S-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

M2045S-E3/4W

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-220-3 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

  • 产品编号:

    M2045S-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AB

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更多M2045S-E3/4W供应商 更新时间2024-4-28 15:11:00