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M10162040054X0PSAY集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

M10162040054X0PSAY
厂商型号

M10162040054X0PSAY

参数属性

M10162040054X0PSAY 封装/外壳为8-SOIC(0.209",5.30mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC

功能描述

High Performance Serial MRAM Memory
IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC

文件大小

1.14047 Mbytes

页面数量

52

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 16:06:00

M10162040054X0PSAY规格书详情

Features

 Interface

• Serial Peripheral Interface QSPI (4-4-4)

• Single Data Rate Mode: 108MHz

• Double Data Rate Mode: 54MHz

 Technology

• 40nm pMTJ STT-MRAM

Virtually unlimited Endurance and Data Retention (see

Endurance and Data Retention specification in Table 31)

 Density

• 4Mb, 8Mb, 16Mb

 Operating Voltage Range

• VCC: 1.71V – 2.00V

• VCC: 2.70V – 3.60V

 Operating Temperature Range

• Industrial: -40°C to 85°C

• Industrial Plus: -40°C to 105°C

 Packages

• 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)

• 8-pin SOIC (5.2mm x 5.2mm)

 Data Protection

• Hardware Based: Write Protect Pin (WP#)

Software Based: Address Range Selectable through

Configuration bits (Top/Bottom, Block Protect[2:0])

M10162040054X0PSAY属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的M10162040054X0PSAY存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    M10162040054X0PSAY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    RAM

  • 技术:

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存储容量:

    16Mb(4M x 4)

  • 电压 - 供电:

    1.71V ~ 2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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