选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXPNI780S |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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FREESCALETSOP |
8955 |
19+20+ |
全新原装房间现货 可长期供货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXPNI780S |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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NXPUSAInc.NI-780S |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
MRF7S21210HSR5采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MRF7S21210HSR5图片
MRF7S21210HSR5中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF7S21210HSR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号:
MRF7S21210HSR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
18.5dB
- 功率 - 输出:
63W
- 封装/外壳:
NI-780S
- 供应商器件封装:
NI-780S
- 描述:
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S