| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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FREESCALESMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FRESSCALSMD |
8 |
08+ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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FREESCALSMD |
2 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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FREESCALE |
288 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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FREESCALENI-780 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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FREESCALESMD |
32568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FreescaleNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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FreescaleSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FREESCALENA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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高频管TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FRESSCALSMD |
400 |
08+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXPNI780S |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXPNI780S |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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FREESCALSMD |
2 |
2206+ |
只做原装进口!正品支持实单! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FREESCALENA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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NXP/恩智浦NA |
78920 |
2324+ |
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二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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NXPUSAInc.NI-780S |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
MRF7S18125采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MRF7S18125图片
MRF7S18125BHSR5中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF7S18125AHR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125AHR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125AHSR制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Freescale Semiconductor
MRF7S18125AHSR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125AHSR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125BHR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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MRF7S18125BHSR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
