选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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FreescaleSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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FreescaleNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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NXPNI1230S |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXPNI1230S |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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FREESCALETSOP |
8907 |
19+20+ |
全新原装房间现货 可长期供货 |
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MRF6VP41KHSR7图片
MRF6VP41KHSR7中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF6VP41KHSR7功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ1000W NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号:
MRF6VP41KHSR7
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
450MHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 输出:
1000W
- 封装/外壳:
NI-1230S
- 供应商器件封装:
NI-1230S
- 描述:
FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S