选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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FREESCALESMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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FreescaleSMD |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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FREECALETO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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FREECALETO-59 |
8510 |
20+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FRESSCALSMD |
5 |
08+ |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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FREECALE |
273 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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NXP/恩智浦NA |
78920 |
2324+ |
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二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FREESCALENA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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FREESCALESMD |
1680 |
2018+ |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FREENA |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXPNI780S |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FRESSCALSMD |
48 |
0830+ |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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Freescale高频管 |
155 |
23+ |
专营高频管模块,全新原装! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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FreescaleNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXPNI780S |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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FREESCALE原装 |
8745 |
19+20+ |
全新原装房间现货 可长期供货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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FREE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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NXP/恩智浦NA |
78920 |
2324+ |
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二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FREESCALENA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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FreescaleSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
MRF6S19200H采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MRF6S19200H图片
MRF6S19200HSR3中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF6S19200H制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19200HR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.9GHZ 56W 28V NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S19200HR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.9GHZ 56W 28V NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S19200HSR3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.9GHZ 56W 28V NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S19200HSR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.9GHZ 56W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray