| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市弘为电子有限公司9年
留言
|
FreescaleNI-1230 |
150 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
FREESCALENI |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
|||
|
深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
|
收购ICNI-1230 |
5083 |
1525+ |
长期现金收购原装IC |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
NXPNI1230 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
NXPNI1230 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
FREESCALETSOP |
8870 |
19+20+ |
全新原装房间现货 可长期供货 |
MRF6P21190HR5采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MRF6P21190HR5图片
MRF6P21190HR5中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF6P21190HR5功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
产品属性
- 产品编号：
MRF6P21190HR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.12GHz
- 增益：
15.5dB
- 功率 - 输出：
44W
- 封装/外壳：
NI-1230
- 供应商器件封装：
NI-1230
- 描述：
RF MOSFET LDMOS 28V NI-1230
