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深圳市科恒伟业电子有限公司

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MRF581

MOTOROLVQFN

9800

21+

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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MRF581

MOTOROLSMD

9850

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深圳市毅创腾电子科技有限公司

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MRF581

MOTORO最新批号!

5600

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专业分销全系列产品!绝对原装正品!量大可订!价格优

深圳市振鑫微电子科技有限公司

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MRF581

MOTOROLAN/A

50000

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全新原装现货热卖

深圳市近平电子有限公司

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MRF581

MICROSET051

6000

14

原装正品现货

深圳市恒意法电子有限公司

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MRF581

Microsemi

3164

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深圳市旺财半导体有限公司

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MRF581

MOTOROLA/摩托罗拉

1688

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房间现货库存:QQ:373621633

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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MACOMNA

35000

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我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信

深圳市科恒伟业电子有限公司

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MicroseVQFN

9800

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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MicroseSMD

9850

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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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MOTOROLAN/A

50000

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全新原装现货热卖

深圳市凯斯宇科技有限公司

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MOTSOP8

2600

2022

原厂原装正品,价格超越代理

深圳市欧立现代科技有限公司

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Microseto-51

5660

22+

绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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ON/安森美SOP-8

8643

23+

原装优势公司现货!

深圳硅原半导体有限公司

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ON/安森美SOP

12680

2022+

全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保

深圳市恒意法电子有限公司

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MOTOROLA

3343

21+

专营原装正品现货,当天发货,可开发票!

深圳硅原半导体有限公司

7年 留言
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ON/安森美SOP

22800

原盒原标,正品现货,诚信经营,假一罚十

深圳市永贝尔科技有限公司

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Microsemi(美高森美)N/A

4550

2023+

全新原装正品

深圳市近平电子有限公司

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MRF581

MRF581MOTOROLTO-59

6000

19+

原装现货,特价供应

深圳市特瑞斯科技有限公司

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MRF581

MOTOROLATO-51r

5100

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大量原装高频管、模块现货供应!

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MRF581A价格

MRF581A价格:¥13.6173品牌:Advanced Semiconductor,

生产厂家品牌为Advanced Semiconductor, 的MRF581A多少钱,想知道MRF581A价格是多少?参考价:¥13.6173。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MRF581A批发价格及采购报价,MRF581A销售排行榜及行情走势,MRF581A报价。

MRF581资讯

MRF581 一级分销商,特价销售,欢迎咨询

MRF581型号基本信息如下型号名称:MRF581制造商:MicrosemiPowerProductsGroup封装:Micro-X陶瓷(84C)批号:--数量:最新库存数量请通过电话及QQ询问我们价格:最新价格请通过电话及QQ联系我们确认类型:RF晶体管包装:散装系列:-晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):18V频

MRF581中文资料Alldatasheet PDF

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MRF581功能描述:射频放大器 RF Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel

MRF581_08制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

MRF5811LT1制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143

MRF5812功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel

MRF5812G制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

MRF5812GR1功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR

MRF5812GR2功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR

MRF5812LF功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel

MRF5812LFR1功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel

MRF5812LFR2功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号:

    MRF581

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    18V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供应商器件封装:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X