选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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MOTOROLVQFN |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
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MOTOROLSMD |
9850 |
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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
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MOTORO最新批号! |
5600 |
23+ |
专业分销全系列产品!绝对原装正品!量大可订!价格优 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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MOTOROLAN/A |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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MICROSET051 |
6000 |
14 |
原装正品现货 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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3164 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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MACOMNA |
35000 |
22+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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MicroseVQFN |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
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MicroseSMD |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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MOTOROLAN/A |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
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MOTSOP8 |
2600 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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Microseto-51 |
5660 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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ON/安森美SOP-8 |
8643 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳硅原半导体有限公司8年
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ON/安森美SOP |
12680 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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3343 |
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专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳硅原半导体有限公司7年
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ON/安森美SOP |
22800 |
原盒原标,正品现货,诚信经营,假一罚十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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MRF581MOTOROLTO-59 |
6000 |
19+ |
原装现货,特价供应 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
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MOTOROLATO-51r |
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大量原装高频管、模块现货供应! |
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MRF581图片
MRF581A价格
MRF581A价格:¥13.6173品牌:Advanced Semiconductor,
生产厂家品牌为Advanced Semiconductor, 的MRF581A多少钱,想知道MRF581A价格是多少?参考价:¥13.6173。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MRF581A批发价格及采购报价,MRF581A销售排行榜及行情走势,MRF581A报价。
MRF581资讯
MRF581 一级分销商,特价销售,欢迎咨询
MRF581型号基本信息如下型号名称:MRF581制造商:MicrosemiPowerProductsGroup封装:Micro-X陶瓷(84C)批号:--数量:最新库存数量请通过电话及QQ询问我们价格:最新价格请通过电话及QQ联系我们确认类型:RF晶体管包装:散装系列:-晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):18V频
MRF581中文资料Alldatasheet PDF
更多MRF581功能描述:射频放大器 RF Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF581_08制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF5811LT1制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143
MRF5812功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF5812G制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
MRF5812GR1功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812GR2功能描述:TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
MRF5812LF功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF5812LFR1功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
MRF5812LFR2功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
MRF581
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
18V
- 频率 - 跃迁:
5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益:
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值:
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 50mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装:
微型-X 陶瓷 84C
- 描述:
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X