选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-92L |
11000 |
24+ |
只做原装进口假一赔十全部自己现货库存 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
11133 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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CJ/长电10 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHARDTO-92 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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CJ/长电TO92 |
90000 |
华拓芯城用芯经营 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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ONTO-92L |
4000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-92 |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ON |
8000 |
03+ |
现货供应 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-92 |
68900 |
FAIRCHARD |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD原封装 |
14607 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONTO-92L |
6000 |
03+ |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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FAIRCHARDTO-92 |
35556 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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摩托罗拉袋装 |
10100 |
全新原装 实单必成 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONTO-92 |
16500 |
12+ |
只做原装正品现货,假一赔十 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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onsemiNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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MPSW56图片
MPSW56RLRAG中文资料Alldatasheet PDF
更多MPSW56功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRA功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MPSW56RLRPG功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MPSW56
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 10mA,250mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 250mA,1V
- 频率 - 跃迁:
50MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-226-3
- 描述:
TRANS PNP 80V 1A TO226-3