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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市德裕嘉电子科技有限公司

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NXP/恩智浦TO-92

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深圳市卓越微芯电子有限公司

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市赛能新源半导体有限公司

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深圳市环球伟业电子有限公司

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Fairchild/Fairchild Semiconduc

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市弘为电子有限公司

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ONSEMICONDU原封装

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深圳兆威电子有限公司

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深圳好佳好科技有限公司

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MOTDC90PACKAGET

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深圳市金胜达微科技有限公司

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深圳市华瑞顺电子科技有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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FSCTO-92

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市宏世佳电子科技有限公司

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FAIRCHILDSEMTO-92-3

3577

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深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

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深圳市华斯顿科技有限公司

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MPSA43

长电TO-92

24313

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深圳市胜彬电子有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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MPSA43-AP价格

MPSA43-AP价格：￥0.1855品牌：Micro

生产厂家品牌为Micro的MPSA43-AP多少钱，想知道MPSA43-AP价格是多少？参考价：￥0.1855。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MPSA43-AP批发价格及采购报价，MPSA43-AP销售排行榜及行情走势，MPSA43-AP报价。

MPSA43中文资料Alldatasheet PDF

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MPSA43功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43,116功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43_02制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN High Voltage Amplifier

MPSA43_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Voltage Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43_D74Z_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Voltage Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Vltg Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MPSA43-AB3-R制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

产品属性

  • 产品编号：

    MPSA43

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 2mA，20mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 1mA，10V

  • 频率 - 跃迁：

    50MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS NPN 200V 0.5A TO92

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