| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
7991 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ONSOT23 |
3996 |
23+ |
全新原装现货热卖,特价中 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON/安森美N/A |
25850 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
2635 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
72000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ONTO-236-3 |
7991 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23 |
5000 |
20+ |
只做进口原装实数库存 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23 |
30000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23(TO-236) |
3022 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDSOT-23 |
3685 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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FCSSOT-23 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
10110584 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDSOT23 |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
MMBTH81采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MMBTH81图片
MMBTH81价格
MMBTH81价格：￥0.1272品牌：FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的MMBTH81多少钱，想知道MMBTH81价格是多少？参考价：￥0.1272。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MMBTH81批发价格及采购报价，MMBTH81销售排行榜及行情走势，MMBTH81报价。
MMBTH81中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBTH81功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MMBTH81_D87Z功能描述:射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MMBTH81_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MMBTH81
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
600MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_宽频带放大 （A）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
20V
- 最大电流允许值：
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
3CG122E,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
20
- htest：
999900
- atest：
0
- wtest：
.3
