| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
200 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长电SOT23 |
157381 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOT-23-3 |
15000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FSCSOT23 |
99390 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市金泰福电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长晶SOT-23 |
30000 |
24+ |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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CJ/长电SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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长电SOT-23 |
25700 |
14+无铅 |
优势产品,博盛微热卖!!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长电SOT-23 |
157443 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8043 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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ONTO-236-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ONSOT-23 |
113400 |
23+ |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON/安森美N/A |
25850 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
22048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ON/安森美SOT23 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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UTCSOT523 |
6000 |
23/22+ |
20年老代理.原厂技术支持 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT23 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSOT23 |
120000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT23 |
57000 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
26316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
MMBTH10采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MMBTH10图片
MMBTH10LT1G价格
MMBTH10LT1G价格：￥0.1440品牌：ON
生产厂家品牌为ON的MMBTH10LT1G多少钱，想知道MMBTH10LT1G价格是多少？参考价：￥0.1440。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MMBTH10LT1G批发价格及采购报价，MMBTH10LT1G销售排行榜及行情走势，MMBTH10LT1G报价。
MMBTH10LT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBTH10功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
MMBTH10_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-4LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7功能描述:两极晶体管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT3G功能描述:两极晶体管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G功能描述:两极晶体管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MMBTH10
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
- 频率 - 跃迁：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_本级振荡 （Osc）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
30V
- 最大电流允许值：
0.3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
.3
- wtest：
0
