| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金泰福电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长晶SOT-23 |
45000 |
24+ |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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CJ/长电SOT23 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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CJSOT-23 |
10000 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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ONSOT23 |
60000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOT-23-3 |
21000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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CJN/A |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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CJSOT-23 |
10000 |
21+ |
只做现货 |
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美源芯科（深圳）电子科技有限公司2年
留言
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CJ/长电SOT-23 |
20000 |
21+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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CJ特价SOT-23 |
30000 |
22+ |
100%公司原装现货,欢迎加Q微信咨询 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CJ(江苏长电/长晶)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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CJSOT |
3000 |
20+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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CJSOT-23 |
6850 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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银河SOT-23 |
15000 |
23+ |
公司现货库存,有挂就有货,支持实单 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
3000 |
2019 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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CJSOT |
3000 |
20+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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CJSOT |
3000 |
20+ |
只做原装正品现货库存 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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CJ/长电SOT23 |
15000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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CJ/长晶SOT23 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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KEXIN/科信SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
MMBT5401采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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MMBT5401LT1G价格
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MMBT5401中文资料Alldatasheet PDF
更多MMBT5401功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT5401-G功能描述:射频双极电源晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray
MMBT5401LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT SS HV XSTR PNP 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT5401-T功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MMBT5401
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
300MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_宽频带放大 （A）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
160V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
3CA3F,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
160
- htest：
999900
- atest：
.5
- wtest：
.3
