选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ON/安森美TO126 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO126 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO126 |
1500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO126 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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ON/安森美TO126 |
1500 |
10+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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TO126 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-225-3 |
642 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
600 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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SABKENTO-3P |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiTO-225AA,TO-126-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-225 |
1259 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FCSTO-126 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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TO126 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-126 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-225-3 |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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ISC(无锡固电)TO126 |
6000 |
23+ |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-126 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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MJE200STU价格
MJE200STU价格:¥0.7931品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的MJE200STU多少钱,想知道MJE200STU价格是多少?参考价:¥0.7931。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MJE200STU批发价格及采购报价,MJE200STU销售排行榜及行情走势,MJE200STU报价。
MJE200中文资料Alldatasheet PDF
更多MJE200功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE200_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE200G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE200STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE200TSTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2