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中天科工半导体(深圳)有限公司

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MJD44H11T4G

SOP

30325

23+

1+
:¥0.888

热卖原装进口

深圳市环球伟业电子有限公司

2年 留言
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MJD44H11T4G/MJD45H11T4G

DIP

322

21+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

无锡固电半导体股份有限公司

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MJD44H11

iscTO-251/TO-252

51000

2024+

国产品牌isc,质量等同原装

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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ONTO252

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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ON/安森美TO-252

14316

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市高捷芯城科技有限公司

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ON/安森美TO-252

10048

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市科恒伟业电子有限公司

10年 留言
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ONTO-252

1800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市大联智电子有限公司

3年 留言
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ON/安森美TO-252

34000

21+

原装现货,一站式配套

深圳市明嘉莱科技有限公司

4年 留言
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ONSMD

518000

22+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市柏芯特电子科技有限公司

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ST/意法半导体TO-252-3

6000

2023

1
+:¥0.11

公司原装现货/支持实单

深圳市艾宇特电子科技有限公司

6年 留言
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SSCPSSCP

9852

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市振宏微科技有限公司

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ONTO252

10000

23+

原装正品!假一罚十!

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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ONTO-252-2

20000

22+

公司100%原装现货,现货众多欢迎加Q咨询

深圳市航润创能电子集团有限公司

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ON/安森美NA

96825

21+

只做原装,假一罚十

深圳兆威电子有限公司

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ON/安森美DPAK

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市豪迈兴电子有限公司

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ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

8765

2308+

只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货

深圳市拓亿芯电子有限公司

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ST/意法TO-252-3

12500

23+

只做进口原装假一罚百

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONTO-252

8690

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订

深圳市科恒伟业电子有限公司

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    冯小姐

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ON/安森美TO252

9850

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深圳市能创芯电子科技有限公司

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ONDAPK4

16800

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进口原装现货

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MJD44H11G价格

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生产厂家品牌为ON的MJD44H11G多少钱,想知道MJD44H11G价格是多少?参考价:¥0.6913。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MJD44H11G批发价格及采购报价,MJD44H11G销售排行榜及行情走势,MJD44H11G报价。

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深圳市徐娜嘉盛电子有限公司MJD44H11RLTO2528A80VON

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MJD44H11 进口原装现货,假一罚百!

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MJD44E3制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS

MJD44E3-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS

MJD44E3T4功能描述:达林顿晶体管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

MJD44E3T4G功能描述:达林顿晶体管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

MJD44H11功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD44H11_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS

MJD44H11_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors

MJD44H11_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power transistors

MJD44H11_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors

MJD44H11-001功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2