选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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CJ/长电TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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KERSEMITO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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CJ原装长电TO-252 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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CJ/长电TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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CJTO-252 |
30000 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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CJTO-252 |
30000 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
2500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
76000 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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ONTO-252AA |
8321 |
新批号 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ONDPAK |
56000 |
23+ |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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ON/安森美货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-252 |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司2年
留言
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ONDPAK |
14950 |
1413+ |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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ONSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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ONTO-252 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
12500 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
4000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
MJD42C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MJD42C图片
MJD42CT4G价格
MJD42CT4G价格:¥1.3784品牌:ON
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MJD42CT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD42C功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD42C1功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD42C-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD42C1G功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MJD42CRL功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MJD42CT4功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD42CTF功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MJD42C
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 3A,4V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS PNP 100V 6A DPAK
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
6A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍数:
- 图片代号:
G-217
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
6
- wtest:
20