| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
154575 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO252 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
48 |
16+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
304 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILDN/A |
6800 |
2021+ |
只有原装正品 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FSCTO-252 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市海元微电科技有限公司1年
留言
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ON Semiconductor原厂原装 |
100000 |
22+ |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
1709 |
21+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
47664 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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FAIRCHILD原厂原装 |
1305 |
360000 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD原封装 |
106000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
MJD31CTF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD31CTF图片
MJD31CTF价格
MJD31CTF价格：￥1.2688品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的MJD31CTF多少钱，想知道MJD31CTF价格是多少？参考价：￥1.2688。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD31CTF批发价格及采购报价，MJD31CTF销售排行榜及行情走势，MJD31CTF报价。
MJD31CTF中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD31CTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_NBDD001功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD31CTF_SBDD001A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MJD31CTF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK
