选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯峰微电子科技有限公司1年
留言
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ONTO252 |
3900 |
23+ |
原装现货,假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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STTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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CJ/长电TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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CJTO-252 |
6049 |
17+ |
全新原装正品s |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON2210 |
1835 |
DPAK |
只做原装正品,现货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO252 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-252-3 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
46907 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSemiDPAK |
42384 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
51175 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ONDPAK |
56000 |
23+ |
MJD3055采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
MJD3055图片
MJD3055TF价格
MJD3055TF价格:¥1.1780品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的MJD3055TF多少钱,想知道MJD3055TF价格是多少?参考价:¥1.1780。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MJD3055TF批发价格及采购报价,MJD3055TF销售排行榜及行情走势,MJD3055TF报价。
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更多MJD3055功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055G功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055TF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MJD3055
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
8V @ 3.3A,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 4A,4V
- 频率 - 跃迁:
2MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN 60V 10A DPAK
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Darl
- 性质:
低频或音频放大 (LF)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
10A
- 最大工作频率:
>4MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍数:
- 图片代号:
G-127
- vtest:
0
- htest:
4000100
- atest:
10
- wtest:
20