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深圳市天芯威科技有限公司

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MBT3904DW1T1G

ON(安森美)SOT-363

25900

23+

新到现货,只有原装

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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MBT3904DW1T1G

原装NA

41410

23+

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:¥0.888

热卖原装进口

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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MBT3904DW1T1G

ON/安森美SOT363

98900

23+

原厂原装正品现货!!

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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ON/安森美SOT363

7906200

深圳市科恒伟业电子有限公司

10年 留言
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ONSOT-363

9800

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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ON/安森美SOT-363

2000

2022+

安森美正品现货直销 有优势

讯运(深圳/上海)电子有限公司

10年 留言
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ONSOT23

30000

1717+

ON专营→可提供17发票

深圳市盈盛科创科技有限公司

9年 留言
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ON/安森美SOT363

5931

22+

全新原装正品 现货 优势供应

深圳市跃创芯科技有限公司

3年 留言
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OnsemiSOT363

15000

23+

只做原装正品,假一罚十。

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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ON Semi/安森美N/A

301800

2022+

1+
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只做原装进口 免费送样

深圳市壹芯创科技有限公司

12年 留言
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ONSOT363

23000

22+

全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道!

深圳市杰顺创科技有限公司

3年 留言
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ONSOT23

378000

21+

深圳兆威电子有限公司

6年 留言
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ON/安森美SOT-363

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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    得捷芯城-敏敏

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ON/安森美SOT-363

3800

2022+

1+
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只做原装进口 免费送样

深圳市宝芯创电子有限公司

9年 留言
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ONSOT-363

1002000

22+

只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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    王先生/冯小姐

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ON/安森美SOT363

9850

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深圳市芯祺盛科技有限公司

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ON/安森美SC-70

10053

2105+

深圳市华瑞顺电子科技有限公司

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ON(安森美)SOT-363

12800

22+

本公司只做原装,特价出售!

深圳市坤融电子科技有限公司

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ONSOT363

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原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市明嘉莱科技有限公司

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    深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518

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ON Semiconductor CorporationSMD

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明嘉莱只做原装正品现货

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MBT3904DW1T3G价格

MBT3904DW1T3G价格:¥0.1133品牌:ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的MBT3904DW1T3G多少钱,想知道MBT3904DW1T3G价格是多少?参考价:¥0.1133。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MBT3904DW1T3G批发价格及采购报价,MBT3904DW1T3G销售排行榜及行情走势,MBT3904DW1T3G报价。

MBT3904DW1T1G资讯

MBT3904DW1T3

深圳市骏创达科技有限公司电话:0755-239642652220789222920760企业QQ:28814792059767296961967328632网址:www.jcd168.com地址:深圳市福田区上步工业区501栋4楼412室

MBT3904DW1T1G中文资料Alldatasheet PDF

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MBT3904DW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MBT3904DW1T1_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors

MBT3904DW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MBT3904DW1T3功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MBT3904DW1T3G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2