选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)SOT-363 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装NA |
41410 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ON/安森美SOT363 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT363 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONSOT-363 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
2000 |
2022+ |
安森美正品现货直销 有优势 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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ONSOT23 |
30000 |
1717+ |
ON专营→可提供17发票 |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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ON/安森美SOT363 |
5931 |
22+ |
全新原装正品 现货 优势供应 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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OnsemiSOT363 |
15000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON Semi/安森美N/A |
301800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT363 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
378000 |
21+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
3800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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ONSOT-363 |
1002000 |
22+ |
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT363 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SC-70 |
10053 |
2105+ |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ON(安森美)SOT-363 |
12800 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT363 |
9000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON Semiconductor CorporationSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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MBT3904DW1T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多MBT3904DW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T1_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2