| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
PTIF15060001 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美SOT23-6 |
245 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
|
ONSOT23-6 |
1139 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
|||
|
深圳好佳好科技有限公司13年
留言
|
ONSOT-163 |
16850 |
1912+ |
全新原装优势绝对有货,价格谈到可以做到 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
ONTSOP-6 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
|
ON/安森美SOT23-6 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
|
深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
|
ON/安森美SOT23-6 |
6000 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
MURATA进口原装 |
5500 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
ON/安森美SOT23-6 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
ON/安森美SOT163 |
7906200 |
|||||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
ON/安森美SOT23-6 |
60000 |
21+ |
只售原装进口正品 |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
ONSOT23-6 |
7180 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
|
ONSOT23-6 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
|||
|
深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
|
ON/安森美SOT163 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
ON/安森美SOT-23 |
10053 |
2105+ |
||||
|
深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
|
ONTSOP-6 |
18320 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美SOT23-6 |
3055 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
|
ONNA |
39500 |
1417+ |
||||
|
深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
|
ONSOT23-6 |
349 |
21+ |
全新原装,假一赔十! |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
ON/安森美TSOP-6 |
9320 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
MBT35200MT1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MBT35200MT1图片
MBT35200MT1G价格
MBT35200MT1G价格：￥0.8732品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的MBT35200MT1G多少钱，想知道MBT35200MT1G价格是多少？参考价：￥0.8732。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MBT35200MT1G批发价格及采购报价，MBT35200MT1G销售排行榜及行情走势，MBT35200MT1G报价。
MBT35200MT1G超小型管中文资料Alldatasheet PDF
更多MBT35200MT1功能描述:两极晶体管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MBT35200MT1_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MBT35200MT1G功能描述:两极晶体管 - BJT Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
