| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
610880 |
21+ |
本公司只售原装 支持实单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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GeneSiCN/A |
55 |
1935+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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GeneSiCNA |
55 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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GeneSiCSemiconductorDIODEMODULE20V120AD-67 |
1715 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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MOTOROLAMODULE |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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MOTOROLA模块 |
28500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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GENESIC双塔架 |
96 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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GeneSiCSemiconductorTwinTower |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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MOTOROLAMODULE |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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IXFN标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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GENESIC双塔架 |
96 |
1809+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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GeneSiC SemiconductorTwin Tower |
610880 |
21+ |
本公司只售原装 支持实单 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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GeneSiCNA |
55 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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GeneSiCN/A |
55 |
1935+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
MBR12020CT采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MBR12020CT图片
MBR12020CTR中文资料Alldatasheet PDF
更多MBR12020CT功能描述:肖特基二极管与整流器 20V 120A Schottky Recovery RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBR12020CTR功能描述:肖特基二极管与整流器 20V 120A Schottky Recovery RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
产品属性
- 产品编号：
MBR12020CT
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装：
散装
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
120A（DC）
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
双塔架
- 供应商器件封装：
双塔架
- 描述：
DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
