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B360B	文件：188.62 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE20TO200VOLTS FORWARDCURRENT3.0AMPERE Feature: Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement GuardRingforovervoltageprotection Lowforwardvoltagedrop *ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
LY360Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
M360	文件：260.87 Kbytes Page：4 Pages	MIKRONM360 TYPICALAPPLICATIONS Sapphireprobeopticalpyrometercalibrations Infraredtemperaturesensors Infraredthermalimagingsystems Spectrographicanalyzers Spectralradiometers Heatfluxmeters	ADVANCEDENERGYAdvanced Energy Industries, Inc. 先进能源先进能源工业公司	ADVANCEDENERGY
MA360	文件：22.18 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
MA360J	文件：22.18 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
MAZD360	文件：91.47 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
MAZD360	文件：64.9 Kbytes Page：4 Pages	Lownoisetype	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
MAZS360	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
MAZS360GML	文件：327.6 Kbytes Page：22 Pages	Telecommunications&NetworkingDevices	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MAZY360	文件：52.51 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Largepowerdissipation:PD=1W •ZenervoltageVZ:4.7Vto51V •Zenervoltageallowabledeviation:10 •Automountingpossible	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
MAZY360	文件：92.72 Kbytes Page：4 Pages	SiliconplanartypeForstabilizationofpowersupply	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
MBR360	文件：84.26 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,3A DESCRIPTION TheMBR350,MBR360axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleaded	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR360	文件：70.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltCURRENT3Ampere FEATURES •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto80APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequen	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR360	文件：75.68 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,hi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBR360	文件：59.75 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360	文件：33.77 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Description/Features TheMBR350,MBR360axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelingdiodes,andreversebatteryprotection. •Lowprofile,axialleade	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
MBR360	文件：57.32 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,freewheeling	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR360	文件：121.56 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40,50,60VOLTS AxialLeadRectifier ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,high–frequencyinverte	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBR360	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR360	文件：120.33 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
LXT360QE
制造商：
Intel
制造商：
LEVEL ONE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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