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LTC2055HVHDD	文件：190.77 Kbytes Page：12 Pages	Single/Dual Micropower Zero-Drift Operational Amplifiers	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
2055	文件：15.33 Kbytes Page：1 Pages	HighpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2055	文件：105.3 Kbytes Page：1 Pages	UniversalBushings	Heyco Heyco	Heyco
2055SP	文件：105.53 Kbytes Page：1 Pages	Open/ClosedUniversalBushings	Heyco Heyco	Heyco
A2055-E	文件：173.29 Kbytes Page：20 Pages	SYSDRIVE3G3HVSeries	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
APM2055N	文件：149.5 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/12A,RDS(ON)=55mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •TO-252andSOT-223Packages Applications •SwitchingR	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NU	文件：187.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ·20V/10A,RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mW(typ.)@VGS=2.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ·PowerManagementin	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NU	文件：965.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
APM2055NUC-TR	文件：187.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ·20V/10A,RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mW(typ.)@VGS=2.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ·PowerManagementin	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NUC-TR	文件：149.5 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/12A,RDS(ON)=55mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •TO-252andSOT-223Packages Applications •SwitchingR	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NUC-TRL	文件：187.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ·20V/10A,RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mW(typ.)@VGS=2.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ·PowerManagementin	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NUC-TU	文件：187.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ·20V/10A,RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mW(typ.)@VGS=2.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ·PowerManagementin	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NUC-TUL	文件：187.09 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ·20V/10A,RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mW(typ.)@VGS=2.5V ·SuperHighDenseCellDesign ·ReliableandRugged ·LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ·PowerManagementin	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2055NVC-TR	文件：149.5 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/12A,RDS(ON)=55mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •TO-252andSOT-223Packages Applications •SwitchingR	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
AV2055	文件：76.95 Kbytes Page：1 Pages	UHFSatelliteCommunication(SATCOM)Antenna	UltralifeUltralife Ultralife	Ultralife
BCM2055	文件：272.52 Kbytes Page：2 Pages	Intensi-fiGigabitEthernetDraft-802.11nProcessor FEATURES •Advanced500DMIPS/300-MHzMIPS32®core •4-waysetassociative32-KBI-Cache •2-waysetassociative32-KBD-Cache •4-KBRead-AheadCache •MMU/TLBsupportforLinux® •AdvancedGigabitEthernetMAC •HardwareTCPsegmentationandChecksumoffload •GMII,RGMII	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BD2055AFJ	文件：312.18 Kbytes Page：6 Pages	SiliconmonolithicintegratedcircuitUSBhighsideswitchIC	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD2055AFJ	文件：334.56 Kbytes Page：13 Pages	1chHighSideSwitchICsforUSBDevicesandMemoryCards	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD2055AFJ	文件：366.36 Kbytes Page：13 Pages	1chSmallCurrentOutputUSBHighSideSwitchICs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CKN2055	文件：326.98 Kbytes Page：7 Pages	DSeries FEATURES •Lowlosses •Highstability •Highcapacitanceinsmallsize •Kinked(preferred)orstraightleads •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •Bypassing •Coupling •Resonantcircuit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
LTC2055HVHDD
功能描述：
IC OPAMP 0-DRIFT DUAL LP HV 8DFN
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
标准包装：
100
放大器类型：
通用
电路数：
1
输出类型：
-
转换速率：
0.2 V/µs
增益带宽积：
-
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
100pA 电压 -
输入偏移：
30µV 电流 -
电源：
380µA 电流 -
输出/通道：
- 电压 -
电源，单路/双路(±)：
±2 V ~ 18 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
管件

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