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2322	文件：21.13 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2322-H	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AIC2322	文件：264.15 Kbytes Page：9 Pages	2A550k/1.1MHzSynchronousPWM	AIC AIC	AIC
AM2322N	文件：246.89 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2322GN	文件：69 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2322GN	文件：1.183 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP2322GN-HF	文件：1.41093 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP2322GN-HF	文件：96.75 Kbytes Page：4 Pages	Capableof1.8Vgatedrive,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2322	文件：161.57 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A,RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322A	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TR	文件：161.57 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A,RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TR	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TRL	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TU	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TUL	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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更多LMX2322TMC供应商更新时间2024-5-16 11:43:00

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