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BR358W	文件：551.18 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-35Amperes FEATURES Surgeoverloadratings-400Amperes PlasticcasewithheatsinkforMaximumHeatDissipation *Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BR358W	文件：144.52 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BR358W	文件：235.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BUZ358	文件：348.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUZ358	文件：68.26 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rated) •Nchannel •Enhancementmode •Avalanche-rated	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BYM358DX	文件：54.11 Kbytes Page：7 Pages	Damper-Modulatorfast,high-voltage GENERALDESCRIPTION CombineddamperandmodulatordiodesinanisolatedplasticenvelopeforhorizontaldeflectioninPCmonitors. TheBYM358DXcontainsdiodeswithperformancecharacteristicsdesignedspecificallyforapplicationsfrom32kHzto120kHz TheBYM358DXseriesissuppliedinthecon	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BYM358X	文件：50.45 Kbytes Page：7 Pages	Damper-Modulatorfast,high-voltage GENERALDESCRIPTION CombineddamperandmodulatordiodesinanisolatedplasticenvelopeforhorizontaldeflectioninPCmonitors. TheBYM358Xcontainsdiodeswithperformancecharacteristicsdesignedspecificallyforapplicationsfrom32kHzto120kHzTheBYM358Xseriesissuppliedintheconven	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C358C	文件：74.77 Kbytes Page：12 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
LMV358-N	文件：2.78565 Mbytes Page：52 Pages	OperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMV358-PR	文件：1.4046 Mbytes Page：16 Pages	1MHZCMOSRail-to-RailIOOpampwithRFFilter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMV358QD	文件：1.61848 Mbytes Page：45 Pages	LOW-VOLTAGERAIL-TO-RAILOUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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LMV358QD	文件：1.68686 Mbytes Page：45 Pages	LOW-VOLTAGERAIL-TO-RAILOUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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LMV358QD	文件：2.17184 Mbytes Page：48 Pages	Low-VoltageRail-to-RailOutputOperationalAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMV358QD	文件：1.71117 Mbytes Page：45 Pages	Low-VoltageRail-To-RailOutputOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV358QDDUR	文件：1.71117 Mbytes Page：45 Pages	Low-VoltageRail-To-RailOutputOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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详细参数

型号：
LMV358MX
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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