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LMC6042IN	文件：401.83 Kbytes Page：13 Pages	CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6042IN	文件：1.23134 Mbytes Page：24 Pages	LMC6042 CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LMC6042IN/NOPB	文件：1.26069 Mbytes Page：24 Pages	CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMC6042IN/NOPB	文件：1.25778 Mbytes Page：24 Pages	CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
6042	文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.	MICRONETICS
6042B	文件：38.73 Kbytes Page：1 Pages	ExtraLargeAlligatorClipWith4mmSheathSafetyJack	POMONA Pomona Electronics	POMONA
6042C	文件：68.83 Kbytes Page：2 Pages	Component112X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
BD6042GUL	文件：194.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CBM6042	文件：1.45456 Mbytes Page：17 Pages	OPERATIONINSTRUCTION	COREBAICoreBai Microelectronics 芯佰芯佰微电子(北京)有限公司	COREBAI
CEB6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6042	文件：1.21191 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=60V,ID=130A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CHA6042	文件：90.64 Kbytes Page：6 Pages	13-16GHzHighPowerAmplifier Description TheCHA6042isafour-stagepHEMTHPAMMICdesignedforVSATgroundterminalsandotherradioapplications.TheCHA6042provides32dBmnominaloutputpowerat1dBgaincompressionoverthe13-16GHzfrequencyrange,and32dBsmall-signalgain.Thisproductwillbeavailableinchipf	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
DMNH6042SPD	文件：562.56 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SPDQ	文件：637.25 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMNH6042SPS	文件：543.87 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPOWERDI	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
LMC6042IN
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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