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FDP3205	文件：331.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP3205	文件：393.37 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET55V,100A,7.5m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FHP3205	文件：343.27 Kbytes Page：8 Pages	FHP3205isalow-voltagehigh-currentpowerMOSfieldeffecttransistor,widelyusedinpowerinverters Features 110A,55V,RDS(on)=8.0mΩfastswitching speed	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FJNS3205R	文件：69.6 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=4.7KΩ,R2=10KΩ) •ComplementtoFJNS4205R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FPIR3205	文件：61.74 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERY,32,40and50AMPERES	edi edi	edi
FRM3205CC	文件：113.57 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-fastPOWERplanar??Rectifiers32A,50-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTC3205	文件：205.91 Kbytes Page：2 Pages	ComplementarytoFTA1273	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G3205	文件：100.29 Kbytes Page：1 Pages	Dual1SPDTAnalogSwitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
GA3205	文件：112.49 Kbytes Page：6 Pages	FRONTWAVE-TMMulti-MicrophoneHybrid DESCRIPTION TheGA3205isamulti-memoryhybridthat,withtheadditionoftwomicrophones,canbeusedtoproduceadirectionalresponseinanyhearingaid.Thefouravailablememoriescanbeprogrammedtoincludeanyofthe4modesofoperation:1micomnidirectional,2micomnidirectional,dir	GennumGennum Corporation 根努姆公司	Gennum
GC3205	文件：153.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERGENERATIONHarmonicsGeneratorVaractors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GMP3205	文件：194.62 Kbytes Page：2 Pages	N-channel55V,110A,TO-220PowerMOSFET	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
HETC3205	文件：402.93 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
HM3205	文件：594.12 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3205D	文件：864.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-3205	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HO-P-3205	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HRF3205	文件：246.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HRF3205	文件：191.09 Kbytes Page：9 Pages	100A,55V,0.008Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HRF3205	文件：82.73 Kbytes Page：8 Pages	100A,55V,0.008Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HRF3205S	文件：82.73 Kbytes Page：8 Pages	100A,55V,0.008Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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