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LM285BYM-1.2	文件：265.37 Kbytes Page：10 Pages	Micropower Voltage Reference Diode	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM285BYM-1.2	文件：698.4 Kbytes Page：11 Pages	Micropower Voltage Reference Diode	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM285BYM-1.2	文件：293.73 Kbytes Page：10 Pages	Micropower Voltage Reference Diode	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM285BYM-1.2/NOPB	文件：1.21008 Mbytes Page：23 Pages	LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM285BYM-1.2/NOPB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）电压基准描述：IC VREF SHUNT 1% 8SOIC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
LM285BYM-1.2
功能描述：
基准电压& 基准电流
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Voltage References
拓扑结构：
Shunt References
参考类型：
Programmable
输出电压：
1.24 V to 18 V
初始准确度：
0.25 %
平均温度系数（典型值）：
100 PPM/C 串联 VREF -
输入电压（最大值）：
串联 VREF -
分流电流（最大值）：
60 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
SOT-23-3L
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LM285BYM-1.2供应商更新时间2024-6-10 13:46:00

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